Tổng hợp câu hỏi đề thi VLSI DESIGN COURSE LECTURE NOTES EXAM EXAMPLE

2 năm trước

12 POINTS A) REDUCE THE FOLLOWING FUNCTION TO A FORM THAT CAN BE IMPLEMENTED IN CMOS WITH THE FEWEST NUMBER OF TRANSISTORS

Xem thêm
2 năm trước

10 POINTS FIND THE REQUESTED VOLTAGES IN THE FOLLOWING CIRCUIT BY APPLYING THE RULES FOR CASES WHERE 2 TERMINAL VOLTAGES ARE KNOWN

Xem thêm
2 năm trước

1.5 MΜ0. 1 MΜA) WHAT IS THE ELECTRON CONCENTRATION IN THE CHANNEL AT E...

Xem thêm
2 năm trước

20. WHICH OF THE FOLLOWING CAUSES THE DRAIN CURRENT TO INCREASE WITH V...

Xem thêm
2 năm trước

18. WHICH OF THE FOLLOWING CIRCUITS WOULD UTILIZE AN NMOS SHARED JUNCT...

Xem thêm
2 năm trước

16. WHICH OF THE FOLLOWING LAYERS IS NOT NEEDED TO LAYOUT AN NMOS TRAN...

Xem thêm
2 năm trước

14. WHICH OF THE FOLLOWING CMOS GATES CAN BE IMPLEMENTED USING AOI STR...

Xem thêm
2 năm trước

12. WHICH OF THE FOLLOWING IS A LAYOUT LAYER IN AN N-WELL CMOS PROCESS

Xem thêm
2 năm trước

13 POINTS A) FOR EACH OF THE FOLLOWING BIAS VOLTAGES, SPECIFY THE REGION OF OPERATION (CUTOFF, TRIODE, OR SATURATION)

Xem thêm
2 năm trước

NP = CM-3B) WHAT IS THE HOLE CONCENTRATION IN THE CHANNEL AT EQUILIBRIUM

Xem thêm
2 năm trước

21. CONDUCTIVITY & RC MODEL

Xem thêm
2 năm trước

19. WHICH OF THE FOLLOWING IS A DISADVANTAGE OF USING HIGH-LEVEL METAL...

Xem thêm
2 năm trước

17. A NMOS TRANSISTOR WILL HAVE A COLLECTION OF POSITIVE CHARGES UNDER...

Xem thêm
2 năm trước

15. WHICH OF THE FOLLOWING WOULD HAVE THE HIGHEST MOBILITY, Μ. A) ELEC...

Xem thêm
2 năm trước

13. WHICH OF THE FOLLOWING CMOS LOGIC CIRCUITS WILL CONTAIN PARALLEL N...

Xem thêm
2 năm trước

11. WHICH OF THE FOLLOWING IS A REASON WHY SILICON CMOS CIRCUITS DOMIN...

Xem thêm